BD605. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD605

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BD605

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD605 даташит

 0.1. Size:63K  philips
 pmbd6050 3.pdf pdf_icon

BD605

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 PMBD6050 High-speed diode 1999 May 11 Product specification Supersedes data of 1996 Sep 18 Philips Semiconductors Product specification High-speed diode PMBD6050 FEATURES DESCRIPTION PINNING Small plastic SMD package The PMBD6050 is a high-speed PIN DESCRIPTION switching diode fabricated in planar High switching sp

Другие транзисторы: BD595, BD596, BD597, BD598, BD599, BD600, BD601, BD602, BC549, BD606, BD607, BD608, BD609, BD610, BD611, BD612, BD613