BD610. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD610

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BD610

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD610 даташит

 0.1. Size:63K  philips
 pmbd6100 3.pdf pdf_icon

BD610

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 PMBD6100 High-speed double diode 1999 May 11 Product specification Supersedes data of 1996 Sep 18 Philips Semiconductors Product specification High-speed double diode PMBD6100 FEATURES DESCRIPTION PINNING Small plastic SMD package The PMBD6100 consists of two PIN DESCRIPTION high-speed switching diodes with High sw

Другие транзисторы: BD600, BD601, BD602, BD605, BD606, BD607, BD608, BD609, 2SD669, BD611, BD612, BD613, BD614, BD615, BD616, BD617, BD618