BD610 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BD610
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO220
Аналоги (замена) для BD610
BD610 Datasheet (PDF)
pmbd6100 3.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PMBD6100High-speed double diode1999 May 11Product specificationSupersedes data of 1996 Sep 18Philips Semiconductors Product specificationHigh-speed double diode PMBD6100FEATURES DESCRIPTION PINNING Small plastic SMD package The PMBD6100 consists of twoPIN DESCRIPTIONhigh-speed switching diodes with High sw
Другие транзисторы... BD600 , BD601 , BD602 , BD605 , BD606 , BD607 , BD608 , BD609 , BC549 , BD611 , BD612 , BD613 , BD614 , BD615 , BD616 , BD617 , BD618 .



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115 | c3998 transistor | 2sa679 | 2sc3181