BD643F. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BD643F
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 62 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750
Корпус транзистора: TO220F
Аналоги (замена) для BD643F
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BD643F даташит
bd643f.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BD643F DESCRIPTION High DC Current Gain Low Saturation Voltage Complement to Type BD644F Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use as complementary AF push-pull output stage applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAM
bd643-bd645-bd647-bd649-bd651.pdf
SEMICONDUCTORS BD643/645/647/649/651 SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS NPN epitaxial-base transistors in a monolithic Dalrington circuit and housed in a TO-220 enveloppe. They are intended for output stages in audio equipment, general amplifiers, and analogue switching application. PNP complements are BD644, BD646, BD648, BD650 and BD652 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings
bd643.pdf
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BD643 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 45V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain h = 750(Min) @I = 3A FE C Low Saturation Voltage Complement to Type BD644 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use as complementary AF push-pull output st
Другие транзисторы: BD620, BD633, BD634, BD635, BD636, BD637, BD638, BD643, BDT88, BD644, BD644F, BD645, BD645F, BD646, BD646F, BD647, BD647F
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n2147 | 2sc870 | 2sa771 | d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827

