BD646F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BD646F  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 62 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO220F

  📄📄 Копировать ⓘ

 Аналоги (замена) для BD646F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD646F даташит

 ..1. Size:214K  inchange semiconductor
 bd646f.pdf pdf_icon

BD646F

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BD646F DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -60V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain Low Saturation Voltage Complement to Type BD645F Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use as complementary AF push-pull output stage

 9.1. Size:363K  comset
 bd644-bd646-bd648-bd650-bd652.pdf pdf_icon

BD646F

SEMICONDUCTORS BD644/646/648/650/652 SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS PNP epitaxial-base transistors in a monolithic Dalrington circuit and housed in a TO-220 enveloppe. They are intended for output stages in audio equipment, general amplifiers, and analogue switching application. NPN complements are BD643, BD645, BD647, BD649 and BD651 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings

 9.2. Size:452K  transys
 bd646 bd648 bd650 bd652.pdf pdf_icon

BD646F

 9.3. Size:193K  inchange semiconductor
 bd646.pdf pdf_icon

BD646F

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BD646 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -60V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain h = 750(Min) @I = -3A FE C Low Saturation Voltage Complement to Type BD645 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use as complementary AF push-pull output

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BD638, BD643, BD643F, BD644, BD644F, BD645, BD645F, BD646, 2N3904, BD647, BD647F, BD648, BD648F, BD649, BD649F, BD650, BD650F