Справочник транзисторов. BD648

 

Биполярный транзистор BD648 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: BD648
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
   Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BD648

 

 

BD648 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:452K  transys
bd646 bd648 bd650 bd652.pdf

BD648 BD648

 ..2. Size:194K  inchange semiconductor
bd648.pdf

BD648 BD648

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BD648DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -80V(Min)(BR)CEOHigh DC Current Gain: h = 750(Min) @I = -3AFE CLow Saturation VoltageComplement to Type BD647Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as complementary AF push-pull output

 0.1. Size:363K  comset
bd644-bd646-bd648-bd650-bd652.pdf

BD648 BD648

SEMICONDUCTORSBD644/646/648/650/652 SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS PNP epitaxial-base transistors in a monolithic Dalrington circuit and housed in a TO-220 enveloppe. They are intended for output stages in audio equipment, general amplifiers, and analogue switching application. NPN complements are BD643, BD645, BD647, BD649 and BD651 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings

 0.2. Size:214K  inchange semiconductor
bd648f.pdf

BD648 BD648

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Darlington Power Transistor BD648FDESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -80V(Min)(BR)CEOHigh DC Current GainLow Saturation VoltageComplement to Type BD649FMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as complementary AF push-pull outputstage

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

 

 
Back to Top