Справочник транзисторов. BD648

 

Биполярный транзистор BD648 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BD648
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
   Корпус транзистора: TO220
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BD648 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:452K  transys
 bd646 bd648 bd650 bd652.pdf pdf_icon

BD648

 ..2. Size:194K  inchange semiconductor
 bd648.pdf pdf_icon

BD648

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BD648DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -80V(Min)(BR)CEOHigh DC Current Gain: h = 750(Min) @I = -3AFE CLow Saturation VoltageComplement to Type BD647Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as complementary AF push-pull output

 0.1. Size:363K  comset
 bd644-bd646-bd648-bd650-bd652.pdf pdf_icon

BD648

SEMICONDUCTORSBD644/646/648/650/652 SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS PNP epitaxial-base transistors in a monolithic Dalrington circuit and housed in a TO-220 enveloppe. They are intended for output stages in audio equipment, general amplifiers, and analogue switching application. NPN complements are BD643, BD645, BD647, BD649 and BD651 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings

 0.2. Size:214K  inchange semiconductor
 bd648f.pdf pdf_icon

BD648

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Darlington Power Transistor BD648FDESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -80V(Min)(BR)CEOHigh DC Current GainLow Saturation VoltageComplement to Type BD649FMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as complementary AF push-pull outputstage

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: PN4142 | SGSIF444 | 3DD128FH3D | 2SC536N | CPH5902 | GES5137

 

 
Back to Top

 


 
.