Справочник транзисторов. BD652F

 

Биполярный транзистор BD652F Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BD652F
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 62 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
   Корпус транзистора: TO220F
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BD652F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:213K  inchange semiconductor
 bd652f.pdf pdf_icon

BD652F

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Darlington Power Transistor BD652FDESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -100V(Min)(BR)CEOHigh DC Current GainLow Saturation VoltageComplement to Type BD651FMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as complementary AF push-pull outputstag

 9.1. Size:363K  comset
 bd644-bd646-bd648-bd650-bd652.pdf pdf_icon

BD652F

SEMICONDUCTORSBD644/646/648/650/652 SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS PNP epitaxial-base transistors in a monolithic Dalrington circuit and housed in a TO-220 enveloppe. They are intended for output stages in audio equipment, general amplifiers, and analogue switching application. NPN complements are BD643, BD645, BD647, BD649 and BD651 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings

 9.2. Size:452K  transys
 bd646 bd648 bd650 bd652.pdf pdf_icon

BD652F

 9.3. Size:194K  inchange semiconductor
 bd652.pdf pdf_icon

BD652F

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BD652DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -120V(Min)(BR)CEOHigh DC Current Gain: h = 750(Min) @I = -3AFE CLow Saturation VoltageComplement to Type BD651Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as complementary AF push-pull output

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: PN4142 | SGSIF444 | MJE13003DP | MP4506 | NSVT45010MW6T3G | 40980

 

 
Back to Top

 


 
.