BD675A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BD675A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для BD675A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD675A даташит

 ..1. Size:112K  motorola
bd675 bd675a bd677 bd677a bd679 bd679a bd681 bd675 bd677 bd679 bd681.pdfpdf_icon

BD675A

Order this document MOTOROLA by BD675/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA BD675 BD675A Plastic Medium-Power BD677 Silicon NPN Darlingtons BD677A . . . for use as output devices in complementary general purpose amplifier applica- BD679 tions. High DC Current Gain BD679A hFE = 750 (Min) @ IC = 1.5 and 2.0 Adc Monolithic Construction BD681 * BD675, 675A, 677, 677A,

 ..2. Size:39K  fairchild semi
bd675a bd677a bd679a bd681.pdfpdf_icon

BD675A

BD675A/677A/679A/681 Medium Power Linear and Switching Applications Medium Power Darlington TR Complement to BD676A, BD678A, BD680A and BD682 respectively TO-126 1 NPN Epitaxial Silicon Transistor 1. Emitter 2.Collector 3.Base Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage BD675A 45 V BD677A 60 V B

 ..3. Size:189K  inchange semiconductor
bd675a.pdfpdf_icon

BD675A

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BD675A DESCRIPTION Collector Emitter Breakdown Voltage V = 45 V (BR)CEO DC Current Gain h = 750(Min) @ I = 2 A FE C Complement to Type BD676A Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use as output devices in complementary general-purpose amplifier ap

 ..4. Size:117K  inchange semiconductor
bd675a bd677a bd679a bd681.pdfpdf_icon

BD675A

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BD675A/677A/679A/681 DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type BD676A/678A/680A/682 DARLINGTON APPLICATIONS For medium power linear and switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 Base Absolute maximum ratings (Ta=25

Другие транзисторы: BD662K, BD663, BD663A, BD663B, BD664, BD664A, BD664B, BD675, TIP31C, BD675H, BD676, BD676A, BD676H, BD677, BD677A, BD677H, BD678