Справочник транзисторов. BD678

 

Биполярный транзистор BD678 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BD678
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
   Корпус транзистора: TO126
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BD678 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:110K  motorola
bd676 bd678 bd680 bd682.pdfpdf_icon

BD678

Order this documentMOTOROLAby BD676/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATABD676BD676APlastic Medium-PowerBD678Silicon PNP DarlingtonsBD678A. . . for use as output devices in complementary generalpurpose amplifier applica-BD680tions. High DC Current Gain BD680AhFE = 750 (Min) @ IC = 1.5 and 2.0 Adc Monolithic ConstructionBD682 BD676, 676A, 678, 678A, 680

 ..2. Size:41K  st
bd677 bd677a bd678 bd678a bd679 bd679a bd680 bd680a bd681 bd682.pdfpdf_icon

BD678

BD677/A/679/A681BD678/A/680/A/682COMPLEMENTARY SILICONPOWER DARLINGTON TRANSISTORSn SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPESDESCRIPTIONThe BD677, BD677A, BD679, BD679A andBD681 are silicon epitaxial-base NPN powertransistors in monolithic Darlington configurationmounted in Jedec SOT-32 plastic package.They are intended for use in medium power linarand switching applications12

 ..3. Size:117K  cdil
bd676 bd678 bd680 bd682 bd684 a.pdfpdf_icon

BD678

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP DARLIGNTON POWER SILICON TRANSISTORS BD676, 676ABD678, 678ABD680, 680ABD682, 684TO126 Plastic PackageECBFor Use As Output Devices In Complementary General Purpose Amplifier Applications.COMPLEMENTARY TO BD675, 675A, 677, 677A, 679, 679A, 681 & 683BD678, 678A, 680, 680A ARE E

 ..4. Size:189K  inchange semiconductor
bd678.pdfpdf_icon

BD678

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BD678DESCRIPTIONCollectorEmitter Breakdown Voltage: V = -60(BR)CEODC Current Gain: h = 750(Min) @ I = -1.5 AFE CComplement to Type BD677Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as output devices in complementarygeneral-purpose amplifier ap

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: 2N3585 | BD777 | BC173C

 

 
Back to Top

 


 
.