Справочник транзисторов. BD708

 

Биполярный транзистор BD708 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BD708
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO66
 

 Аналог (замена) для BD708

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD708 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1174K  st
bd707 bd708 bd709 bd711 bd712.pdfpdf_icon

BD708

BD707/709/711BD708/712COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES APPLICATION LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIALEQUIPMENT DESCRIPTION The BD707, BD709 and BD711 are siliconEpitaxial-Base NPN power transistors in Jedec32TO-220 plastic package. They are intented for1use in power linear and switching applications.The BD707 and BD711 compl

 ..2. Size:110K  st
bd707 bd708 bd709 bd710 bd711 bd712.pdfpdf_icon

BD708

BD707/709/711BD708/710/712COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICESAPPLICATION LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIALEQUIPMENTDESCRIPTIONThe BD707, BD709, and BD711 are silicon32epitaxial-base NPN power transistors in Jedec1TO-220 plastic package, intented for use inpower linear and switching applications.TO

 ..3. Size:60K  inchange semiconductor
bd708 bd710 bd712.pdfpdf_icon

BD708

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors BD708 BD710 BD712 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type BD707/709/711 APPLICATIONS Intented for use in power linear and switching applications. PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAME

 ..4. Size:193K  inchange semiconductor
bd708.pdfpdf_icon

BD708

isc Silicon PNP Power Transistor BD708DESCRIPTIONDC Current Gain -: h = 40(Min.)@ I = -0.5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -60V(Min.)CEO(SUS)Complement to Type BD707Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in power linear and switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SA466 | CSC2120O | 2SC2669O | 2SC1192 | 2SC1219 | 2SD1902 | NST847BDP6

 

 
Back to Top

 


 
.