BD708. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD708

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO66

 Аналоги (замена) для BD708

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD708 даташит

 ..1. Size:1174K  st
 bd707 bd708 bd709 bd711 bd712.pdf pdf_icon

BD708

BD707/709/711 BD708/712 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES APPLICATION LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL EQUIPMENT DESCRIPTION The BD707, BD709 and BD711 are silicon Epitaxial-Base NPN power transistors in Jedec 3 2 TO-220 plastic package. They are intented for 1 use in power linear and switching applications. The BD707 and BD711 compl

 ..2. Size:110K  st
 bd707 bd708 bd709 bd710 bd711 bd712.pdf pdf_icon

BD708

BD707/709/711 BD708/710/712 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES APPLICATION LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL EQUIPMENT DESCRIPTION The BD707, BD709, and BD711 are silicon 3 2 epitaxial-base NPN power transistors in Jedec 1 TO-220 plastic package, intented for use in power linear and switching applications. TO

 ..3. Size:60K  inchange semiconductor
 bd708 bd710 bd712.pdf pdf_icon

BD708

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors BD708 BD710 BD712 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type BD707/709/711 APPLICATIONS Intented for use in power linear and switching applications. PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 Base Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAME

 ..4. Size:193K  inchange semiconductor
 bd708.pdf pdf_icon

BD708

isc Silicon PNP Power Transistor BD708 DESCRIPTION DC Current Gain - h = 40(Min.)@ I = -0.5A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -60V(Min.) CEO(SUS) Complement to Type BD707 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in power linear and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BD699A, BD700, BD700A, BD701, BD702, BD705, BD706, BD707, 13005, BD709, BD710, BD711, BD712, BD719, BD720, BD721, BD722