Биполярный транзистор BD712 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BD712
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO220
- подбор биполярного транзистора по параметрам
BD712 Datasheet (PDF)
bd707 bd708 bd709 bd711 bd712.pdf

BD707/709/711BD708/712COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES APPLICATION LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIALEQUIPMENT DESCRIPTION The BD707, BD709 and BD711 are siliconEpitaxial-Base NPN power transistors in Jedec32TO-220 plastic package. They are intented for1use in power linear and switching applications.The BD707 and BD711 compl
bd707 bd708 bd709 bd710 bd711 bd712.pdf

BD707/709/711BD708/710/712COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICESAPPLICATION LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIALEQUIPMENTDESCRIPTIONThe BD707, BD709, and BD711 are silicon32epitaxial-base NPN power transistors in Jedec1TO-220 plastic package, intented for use inpower linear and switching applications.TO
bd708 bd710 bd712.pdf

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors BD708 BD710 BD712 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type BD707/709/711 APPLICATIONS Intented for use in power linear and switching applications. PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAME
bd712.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor BD712DESCRIPTIONDC Current Gain -: h = 40(Min.)@ I = -0.5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -100V(Min.)CEO(SUS)Complement to Type BD711Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in power linear and switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: BD952 | BD815A



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n2222a-1726 datasheet | bc516 | 2n3391 equivalent | a562 transistor | oc44 datasheet | 2sa70 | 2sa706 | 2sc539