Справочник транзисторов. BD712

 

Биполярный транзистор BD712 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: BD712
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BD712

 

 

BD712 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1174K  st
bd707 bd708 bd709 bd711 bd712.pdf

BD712
BD712

BD707/709/711BD708/712COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES APPLICATION LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIALEQUIPMENT DESCRIPTION The BD707, BD709 and BD711 are siliconEpitaxial-Base NPN power transistors in Jedec32TO-220 plastic package. They are intented for1use in power linear and switching applications.The BD707 and BD711 compl

 ..2. Size:110K  st
bd707 bd708 bd709 bd710 bd711 bd712.pdf

BD712
BD712

BD707/709/711BD708/710/712COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICESAPPLICATION LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIALEQUIPMENTDESCRIPTIONThe BD707, BD709, and BD711 are silicon32epitaxial-base NPN power transistors in Jedec1TO-220 plastic package, intented for use inpower linear and switching applications.TO

 ..3. Size:60K  inchange semiconductor
bd708 bd710 bd712.pdf

BD712
BD712

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors BD708 BD710 BD712 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type BD707/709/711 APPLICATIONS Intented for use in power linear and switching applications. PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAME

 ..4. Size:194K  inchange semiconductor
bd712.pdf

BD712
BD712

isc Silicon PNP Power Transistor BD712DESCRIPTIONDC Current Gain -: h = 40(Min.)@ I = -0.5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -100V(Min.)CEO(SUS)Complement to Type BD711Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in power linear and switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

 

 
Back to Top