BD736. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD736

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 32 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BD736

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD736 даташит

 ..1. Size:229K  inchange semiconductor
 bd736.pdf pdf_icon

BD736

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor BD736 DESCRIPTION DC Current Gain - hFE = 40(Min.)@ IC= -20mA Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= -35V(Min.) Complement to Type BD735 APPLICATIONS Designed for amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Co

Другие транзисторы: BD722, BD723, BD724, BD725, BD726, BD733, BD734, BD735, BC547B, BD737, BD738, BD743, BD743A, BD743B, BD743C, BD743D, BD743E