BD788 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: BD788 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40
Корпус транзистора: SOT23
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для BD788
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BD788 даташит
bd787 bd788.pdf
Order this document MOTOROLA by BD787/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN BD787 PNP Complementary Plastic Silicon BD788 Power Transistors . . . designed for lower power audio amplifier and low current, high speed switching applications. 4 AMPERE Low Collector Emitter Sustaining Voltage POWER TRANSISTORS VCEO(sus) 60 Vdc (Min) BD787, BD788 COMPLEMENTARY High C
bd787 bd788.pdf
BD787 - NPN, BD788 - PNP Complementary Plastic Silicon Power Transistors These devices are designed for lower power audio amplifier and low current, high-speed switching applications. Features http //onsemi.com Low Collector-Emitter Sustaining Voltage - VCEO(sus) 60 Vdc (Min) 4 AMPERES High Current-Gain - Bandwidth Product - fT = 50 MHz (Min) @ IC = 100 mAdc POWER TRANSISTORS
bd788.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor BD788 DESCRIPTION DC Current Gain- h = 40 250(Min)@ I = -0.2A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage - V = -60V(Min) CEO(SUS) Complement to type BD787 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for low power audio amplifier and low current, high-speed switching applicatio
bd787g bd788g.pdf
BD787G (NPN), BD788G (PNP) Complementary Plastic Silicon Power Transistors These devices are designed for lower power audio amplifier and low current, high-speed switching applications. http //onsemi.com Features 4 AMPERES Low Collector-Emitter Sustaining Voltage POWER TRANSISTORS High Current-Gain - Bandwidth Product COMPLEMENTARY SILICON These Devices are Pb-Free and
Другие транзисторы: BD776, BD777, BD778, BD779, BD780, BD785, BD786, BD787, 2SA1943, BD789, BD790, BD791, BD792, BD795, BD796, BD797, BD798
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
072ne6pt | 2sd388 | 2sc1400 | 2sd331 | 2sc1312 datasheet | 2sb647 | k3561 transistor | c3203 transistor



