BD800. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD800

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BD800

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD800 даташит

 ..1. Size:211K  inchange semiconductor
 bd800.pdf pdf_icon

BD800

isc Silicon PNP Power Transistor BD800 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -80V(Min) CEO(SUS) Low Saturation Voltage Complement to Type BD799 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for a wide variety of medium-power switching and amplifier applications , such as series and shunt regulators

Другие транзисторы: BD790, BD791, BD792, BD795, BD796, BD797, BD798, BD799, 2SC1815, BD801, BD802, BD805, BD806, BD807, BD808, BD809, BD810