Биполярный транзистор BD825 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BD825
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO202
BD825 Datasheet (PDF)
bd825 bd829.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D067BD825; BD829NPN power transistorsProduct specification 1998 May 29Supersedes data of 1997 Jun 20File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN power transistors BD825; BD829FEATURES PINNING High current (max. 1 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V).1 emitter2
bd825.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor BD825DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 45V(Min)(BR)CEOHigh DC Current GainLow Saturation VoltageComplement to Type BD826Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for driver-stages in hi-fi amplifiers andtelevision circuits.
Другие транзисторы... BD815 , BD815A , BD816 , BD816A , BD817 , BD817A , BD818 , BD818A , 2SD313 , BD825-10 , BD825-16 , BD825-25 , BD825-6 , BD825A , BD825B , BD826 , BD826-10 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050