BD825-10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD825-10

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO202

 Аналоги (замена) для BD825-10

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD825-10 даташит

 9.1. Size:51K  philips
 bd825 bd829.pdf pdf_icon

BD825-10

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D067 BD825; BD829 NPN power transistors Product specification 1998 May 29 Supersedes data of 1997 Jun 20 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN power transistors BD825; BD829 FEATURES PINNING High current (max. 1 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V). 1 emitter 2

 9.2. Size:211K  inchange semiconductor
 bd825.pdf pdf_icon

BD825-10

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor BD825 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 45V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain Low Saturation Voltage Complement to Type BD826 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for driver-stages in hi-fi amplifiers and television circuits.

Другие транзисторы: BD815A, BD816, BD816A, BD817, BD817A, BD818, BD818A, BD825, 2SB817, BD825-16, BD825-25, BD825-6, BD825A, BD825B, BD826, BD826-10, BD826-16