Справочник транзисторов. BD826-10

 

Биполярный транзистор BD826-10 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BD826-10
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO202
 

 Аналог (замена) для BD826-10

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD826-10 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:216K  inchange semiconductor
 bd826.pdf pdf_icon

BD826-10

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor BD826DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -45V(Min)(BR)CEOHigh DC Current GainLow Saturation VoltageComplement to Type BD825Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for driver-stages in hi-fi amplifiers andtelevision circuits.

Другие транзисторы... BD825 , BD825-10 , BD825-16 , BD825-25 , BD825-6 , BD825A , BD825B , BD826 , SS8050 , BD826-16 , BD826-25 , BD826-6 , BD826A , BD826B , BD827 , BD827-10 , BD827-16 .

 

 
Back to Top

 


 
.