BD826-10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD826-10

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO202

 Аналоги (замена) для BD826-10

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD826-10 даташит

 9.1. Size:216K  inchange semiconductor
 bd826.pdf pdf_icon

BD826-10

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor BD826 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -45V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain Low Saturation Voltage Complement to Type BD825 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for driver-stages in hi-fi amplifiers and television circuits.

Другие транзисторы: BD825, BD825-10, BD825-16, BD825-25, BD825-6, BD825A, BD825B, BD826, 2222A, BD826-16, BD826-25, BD826-6, BD826A, BD826B, BD827, BD827-10, BD827-16