Справочник транзисторов. BD827-16

 

Биполярный транзистор BD827-16 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BD827-16
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO202
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BD827-16 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:211K  inchange semiconductor
 bd827.pdf pdf_icon

BD827-16

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor BD827DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 60V(Min)(BR)CEOHigh DC Current GainLow Saturation VoltageComplement to Type BD828Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for driver-stages in hi-fi amplifiers andtelevision circuits.

Другие транзисторы... BD826-10 , BD826-16 , BD826-25 , BD826-6 , BD826A , BD826B , BD827 , BD827-10 , SS8050 , BD827-25 , BD827-6 , BD827A , BD827B , BD828 , BD828-10 , BD828-16 , BD828-25 .

History: BD941 | TP9012NND03 | BCP56-10T1G | BCF29 | BD825-6 | BD695A | BCP69-16

 

 
Back to Top

 


 
.