BD827B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD827B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO202

 Аналоги (замена) для BD827B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD827B даташит

 9.1. Size:211K  inchange semiconductor
 bd827.pdf pdf_icon

BD827B

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor BD827 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 60V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain Low Saturation Voltage Complement to Type BD828 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for driver-stages in hi-fi amplifiers and television circuits.

Другие транзисторы: BD826A, BD826B, BD827, BD827-10, BD827-16, BD827-25, BD827-6, BD827A, 2SC2383, BD828, BD828-10, BD828-16, BD828-25, BD828-6, BD828A, BD828B, BD829