Справочник транзисторов. BD827B

 

Биполярный транзистор BD827B Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BD827B
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO202
 

 Аналог (замена) для BD827B

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD827B Datasheet (PDF)

 9.1. Size:211K  inchange semiconductor
 bd827.pdf pdf_icon

BD827B

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor BD827DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 60V(Min)(BR)CEOHigh DC Current GainLow Saturation VoltageComplement to Type BD828Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for driver-stages in hi-fi amplifiers andtelevision circuits.

Другие транзисторы... BD826A , BD826B , BD827 , BD827-10 , BD827-16 , BD827-25 , BD827-6 , BD827A , 2SC828 , BD828 , BD828-10 , BD828-16 , BD828-25 , BD828-6 , BD828A , BD828B , BD829 .

History: BF822 | KN2222AS | 9014 | LMUN5136DW1T1G | H558 | BFQ233A | CPS2512B

 

 
Back to Top

 


 
.