BD843. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD843

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO202

 Аналоги (замена) для BD843

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD843 даташит

 ..1. Size:211K  inchange semiconductor
 bd843.pdf pdf_icon

BD843

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor BD843 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 80V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain Low Saturation Voltage Complement to Type BD844 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in television circuits and audio applications ABSOLUTE M

Другие транзисторы: BD835, BD836, BD837, BD838, BD839, BD840, BD841, BD842, C5198, BD844, BD845, BD846, BD847, BD848, BD849, BD850, BD861