Биполярный транзистор BD843 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BD843
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO202
BD843 Datasheet (PDF)
..1. Size:211K inchange semiconductor
bd843.pdf
bd843.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor BD843DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 80V(Min)(BR)CEOHigh DC Current GainLow Saturation VoltageComplement to Type BD844Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in television circuits and audio applicationsABSOLUTE M
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
History: 2N1960-46
History: 2N1960-46
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050