BD898A - описание и поиск аналогов

 

BD898A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD898A

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BD898A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD898A даташит

 ..1. Size:120K  inchange semiconductor
bd896a bd898a bd900a.pdfpdf_icon

BD898A

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors BD896A/898A/900A DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type BD895A/897A/901A DARLINGTON APPLICATIONS For use in output stages in audio equipment, general amplifier,and analogue switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 Em

 ..2. Size:212K  inchange semiconductor
bd898a.pdfpdf_icon

BD898A

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BD898A DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -60V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain h = 750(Min) @I = -4A FE C Collector Power Dissipation- P = 70W@ T = 25 C C 8 A Continuous Collector Current Complement to Type BD897A Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

 9.1. Size:212K  inchange semiconductor
bd898.pdfpdf_icon

BD898A

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BD898 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -60V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain h = 750(Min) @I = -3A FE C Collector Power Dissipation- P = 70W@ T = 25 C C 8 A Continuous Collector Current Complement to Type BD897 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation AP

 9.2. Size:121K  inchange semiconductor
bd896 bd898 bd900 bd902.pdfpdf_icon

BD898A

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors BD896/898/900/902 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type BD895/897/899/901 DARLINGTON APPLICATIONS For use in output stages in audio equipment, general amplifier,and analogue switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3

Другие транзисторы: BD880, BD895, BD895A, BD896, BD896A, BD897, BD897A, BD898, 2SC1815, BD899, BD899A, BD900, BD900A, BD901, BD902, BD905, BD906

 

 

 

 

↑ Back to Top
.