Биполярный транзистор BD899 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BD899
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
Корпус транзистора: TO220
BD899 Datasheet (PDF)
bd895 bd897 bd899 bd901.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BD895/897/899/901 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type BD896/898/900/902 DARLINGTON APPLICATIONS For use in output stages in audio equipment ,general amplifier,and analogue switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3
bd899.pdf
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BD899DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 80V(Min)(BR)CEOHigh DC Current Gain: h = 750(Min) @I = 3AFE CCollector Power Dissipation-: P = 70W@ T = 25C C8 A Continuous Collector CurrentComplement to Type BD900Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPL
bd895a bd897a bd899a.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BD895A/897A/899A DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type BD896A/898A/900A DARLINGTON APPLICATIONS For use in output stages in audio equipment ,general amplifier,and analogue switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 Em
bd899a.pdf
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BD899ADESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 80V(Min)(BR)CEOHigh DC Current Gain: h = 750(Min) @I = 4AFE CCollector Power Dissipation-: P = 70W@ T = 25C C8 A Continuous Collector CurrentComplement to Type BD900AMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAP
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050