Справочник транзисторов. BD899

 

Биполярный транзистор BD899 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BD899
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
   Корпус транзистора: TO220
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BD899 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:121K  inchange semiconductor
 bd895 bd897 bd899 bd901.pdf pdf_icon

BD899

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BD895/897/899/901 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type BD896/898/900/902 DARLINGTON APPLICATIONS For use in output stages in audio equipment ,general amplifier,and analogue switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3

 ..2. Size:212K  inchange semiconductor
 bd899.pdf pdf_icon

BD899

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BD899DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 80V(Min)(BR)CEOHigh DC Current Gain: h = 750(Min) @I = 3AFE CCollector Power Dissipation-: P = 70W@ T = 25C C8 A Continuous Collector CurrentComplement to Type BD900Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPL

 0.1. Size:120K  inchange semiconductor
 bd895a bd897a bd899a.pdf pdf_icon

BD899

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BD895A/897A/899A DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type BD896A/898A/900A DARLINGTON APPLICATIONS For use in output stages in audio equipment ,general amplifier,and analogue switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 Em

 0.2. Size:212K  inchange semiconductor
 bd899a.pdf pdf_icon

BD899

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BD899ADESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 80V(Min)(BR)CEOHigh DC Current Gain: h = 750(Min) @I = 4AFE CCollector Power Dissipation-: P = 70W@ T = 25C C8 A Continuous Collector CurrentComplement to Type BD900AMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAP

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: BD952 | BD815A

 

 
Back to Top

 


 
.