BD899 - описание и поиск аналогов

 

BD899. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD899

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BD899

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD899 даташит

 ..1. Size:121K  inchange semiconductor
 bd895 bd897 bd899 bd901.pdf pdf_icon

BD899

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BD895/897/899/901 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type BD896/898/900/902 DARLINGTON APPLICATIONS For use in output stages in audio equipment ,general amplifier,and analogue switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3

 ..2. Size:212K  inchange semiconductor
 bd899.pdf pdf_icon

BD899

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BD899 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 80V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain h = 750(Min) @I = 3A FE C Collector Power Dissipation- P = 70W@ T = 25 C C 8 A Continuous Collector Current Complement to Type BD900 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPL

 0.1. Size:120K  inchange semiconductor
 bd895a bd897a bd899a.pdf pdf_icon

BD899

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BD895A/897A/899A DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type BD896A/898A/900A DARLINGTON APPLICATIONS For use in output stages in audio equipment ,general amplifier,and analogue switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 Em

 0.2. Size:212K  inchange semiconductor
 bd899a.pdf pdf_icon

BD899

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BD899A DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 80V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain h = 750(Min) @I = 4A FE C Collector Power Dissipation- P = 70W@ T = 25 C C 8 A Continuous Collector Current Complement to Type BD900A Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation AP

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BD895, BD895A, BD896, BD896A, BD897, BD897A, BD898, BD898A, BD335, BD899A, BD900, BD900A, BD901, BD902, BD905, BD906, BD907

 

 

 

 

↑ Back to Top
.