Справочник транзисторов. BD900A

 

Биполярный транзистор BD900A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BD900A
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для BD900A

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD900A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:120K  inchange semiconductor
bd896a bd898a bd900a.pdfpdf_icon

BD900A

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors BD896A/898A/900A DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type BD895A/897A/901A DARLINGTON APPLICATIONS For use in output stages in audio equipment, general amplifier,and analogue switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 Em

 ..2. Size:212K  inchange semiconductor
bd900a.pdfpdf_icon

BD900A

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BD900ADESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -80V(Min)(BR)CEOHigh DC Current Gain: h = 750(Min) @I = -4AFE CCollector Power Dissipation-: P = 70W@ T = 25C C8 A Continuous Collector CurrentComplement to Type BD899AMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operation

 9.1. Size:121K  inchange semiconductor
bd896 bd898 bd900 bd902.pdfpdf_icon

BD900A

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors BD896/898/900/902 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type BD895/897/899/901 DARLINGTON APPLICATIONS For use in output stages in audio equipment, general amplifier,and analogue switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3

 9.2. Size:212K  inchange semiconductor
bd900.pdfpdf_icon

BD900A

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BD900DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -80V(Min)(BR)CEOHigh DC Current Gain: h = 750(Min) @I = -3AFE CCollector Power Dissipation-: P = 70W@ T = 25C C8 A Continuous Collector CurrentComplement to Type BD899Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAP

Другие транзисторы... BD896A , BD897 , BD897A , BD898 , BD898A , BD899 , BD899A , BD900 , BC546 , BD901 , BD902 , BD905 , BD906 , BD907 , BD908 , BD909 , BD910 .

History: BD898A | 2T7234A | 2SB1013 | BD816 | MP2300A

 

 
Back to Top

 


 
.