BD939F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BD939F  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO220F

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BD939F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD939F даташит

 ..1. Size:213K  inchange semiconductor
 bd933f bd935f bd937f bd939f bd941f.pdf pdf_icon

BD939F

isc Silicon NPN Power Transistor BD933F/935F/937F/939F/941F DESCRIPTION DC Current Gain- h = 40(Min)@ I = 150mA FE C Complement to Type BD934F/936F/938F/940F/942F Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in output stages of audio and television amplifier circuits where high peak powers can occur. ABSOLU

 9.1. Size:331K  philips
 bd933 bd935 bd937 bd939 bd941.pdf pdf_icon

BD939F

 9.2. Size:211K  inchange semiconductor
 bd933 bd935 bd937 bd939 bd941.pdf pdf_icon

BD939F

isc Silicon NPN Power Transistor BD933/935/937/939/941 DESCRIPTION DC Current Gain- h = 40(Min)@ I = 150mA FE C Complement to Type BD934/936/938/940/942 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in output stages of audio and television amplifier circuits where high peak powers can occur. ABSOLUTE MAXIMUM

Другие транзисторы: BD935F, BD936, BD936F, BD937, BD937F, BD938, BD938F, BD939, 2N4401, BD940, BD940F, BD941, BD941F, BD942, BD942F, BD943, BD943F