Справочник транзисторов. BD941

 

Биполярный транзистор BD941 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: BD941
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BD941

 

 

BD941 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:331K  philips
bd933 bd935 bd937 bd939 bd941.pdf

BD941
BD941

 ..2. Size:210K  inchange semiconductor
bd941.pdf

BD941
BD941

isc Silicon NPN Power Transistor BD941DESCRIPTION DC Current Gain-: h = 40(Min)@ I = 150mAFE CComplement to Type BD942Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in output stages of audio and televisionamplifier circuits where high peak powers can occur.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL P

 ..3. Size:211K  inchange semiconductor
bd933 bd935 bd937 bd939 bd941.pdf

BD941
BD941

isc Silicon NPN Power Transistor BD933/935/937/939/941DESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 40(Min)@ I = 150mAFE CComplement to Type BD934/936/938/940/942Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in output stages of audio and televisionamplifier circuits where high peak powers can occur.ABSOLUTE MAXIMUM

 0.1. Size:213K  inchange semiconductor
bd933f bd935f bd937f bd939f bd941f.pdf

BD941
BD941

isc Silicon NPN Power Transistor BD933F/935F/937F/939F/941FDESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 40(Min)@ I = 150mAFE CComplement to Type BD934F/936F/938F/940F/942FMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in output stages of audio and televisionamplifier circuits where high peak powers can occur.ABSOLU

 0.2. Size:81K  inchange semiconductor
bd941f.pdf

BD941
BD941

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BD941F DESCRIPTION With TO-220F package Low collector saturation voltage APPLICATIONS For power switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBO

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top