2N2907ACSM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N2907ACSM  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: LCC3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N2907ACSM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N2907ACSM даташит

 0.1. Size:22K  semelab
 2n2907acsmcecc.pdf pdf_icon

2N2907ACSM

2N2907ACSM SEME LAB HIGH SPEED, MEDIUM POWER, PNP SWITCHING TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED MECHANICAL DATA CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE Dimensions in mm (inches) FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS FEATURES 0.51 0.10 SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP (0.02 0.004) 0.31 rad. (0.012) TRANSISTOR 3 HERMETIC CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE (SOT23 COMPATIBLE) 21 CE

 0.2. Size:144K  semelab
 2n2907acsm4r.pdf pdf_icon

2N2907ACSM

SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR 2N2907ACSM4R Low Power, High Speed Saturated Switching Hermetic Surface Mounted Package. Ideally suited for High Speed Switching and General Purpose Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage -60V VCEO Collector Emitter V

 6.1. Size:200K  semelab
 2n2907ac3a.pdf pdf_icon

2N2907ACSM

SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR 2N2907AC3 Low Power, High Speed Saturated Switching Hermetic Surface Mounted Package. Ideally suited for High Speed Switching and General Purpose Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage -60V VCEO Collector Emitter Volt

 6.2. Size:563K  semelab
 2n2907ac1a.pdf pdf_icon

2N2907ACSM

SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR 2N2907AC1 Low Power, High Speed Saturated Switching Hermetic Surface Mounted Package. Ideally suited for High Speed Switching and General Purpose Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage -60V VCEO Collector Emitter Volt

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N2906, 2N2906A, 2N2906ACSM, 2N2906ADCSM, 2N2906AQF, 2N2906CSM, 2N2907, 2N2907A, 2SA1015, 2N2907ACSM4, 2N2907AQF, 2N2907AUB, 2N2907CSM, 2N2908, 2N2909, 2N291, 2N2910