Справочник транзисторов. 2N2907ACSM4

 

Биполярный транзистор 2N2907ACSM4 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2N2907ACSM4
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: LCC3
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

 

2N2907ACSM4 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:144K  semelab
2n2907acsm4r.pdf pdf_icon

2N2907ACSM4
2N2907ACSM4

SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR 2N2907ACSM4R Low Power, High Speed Saturated Switching Hermetic Surface Mounted Package. Ideally suited for High Speed Switching and General Purpose Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage -60V VCEO Collector Emitter V

 4.1. Size:22K  semelab
2n2907acsmcecc.pdf pdf_icon

2N2907ACSM4
2N2907ACSM4

2N2907ACSMSEMELABHIGH SPEED, MEDIUM POWER, PNPSWITCHING TRANSISTOR IN AHERMETICALLY SEALEDMECHANICAL DATACERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGEDimensions in mm (inches)FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONSFEATURES0.51 0.10 SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP (0.02 0.004) 0.31rad.(0.012)TRANSISTOR3 HERMETIC CERAMIC SURFACE MOUNTPACKAGE (SOT23 COMPATIBLE)21 CE

 6.1. Size:200K  semelab
2n2907ac3a.pdf pdf_icon

2N2907ACSM4
2N2907ACSM4

SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR 2N2907AC3 Low Power, High Speed Saturated Switching Hermetic Surface Mounted Package. Ideally suited for High Speed Switching and General Purpose Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage -60V VCEO Collector Emitter Volt

 6.2. Size:563K  semelab
2n2907ac1a.pdf pdf_icon

2N2907ACSM4
2N2907ACSM4

SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR 2N2907AC1 Low Power, High Speed Saturated Switching Hermetic Surface Mounted Package. Ideally suited for High Speed Switching and General Purpose Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage -60V VCEO Collector Emitter Volt

Другие транзисторы... 2N2906A , 2N2906ACSM , 2N2906ADCSM , 2N2906AQF , 2N2906CSM , 2N2907 , 2N2907A , 2N2907ACSM , D880 , 2N2907AQF , 2N2907AUB , 2N2907CSM , 2N2908 , 2N2909 , 2N291 , 2N2910 , 2N2911 .

 

 
Back to Top