Биполярный транзистор BD979 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BD979
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3.6 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 4000
Корпус транзистора: TO202
Другие транзисторы... BD955 , BD955F , BD956 , BD956F , BD975 , BD976 , BD977 , BD978 , 2N3055 , BD980 , BDAP36 , BDAP54 , BDAP54A , BDAP54B , BDAP54C , BDAP55 , BDB01A .
History: KBT5401C
History: KBT5401C
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050