BD979 - описание и поиск аналогов

 

BD979. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD979

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 4000

Корпус транзистора: TO202

 Аналоги (замена) для BD979

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD979 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: BD955, BD955F, BD956, BD956F, BD975, BD976, BD977, BD978, C945, BD980, BDAP36, BDAP54, BDAP54A, BDAP54B, BDAP54C, BDAP55, BDB01A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.