Биполярный транзистор BDB02B - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BDB02B
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO92
BDB02B Datasheet (PDF)
9.1. Size:137K motorola
bdb02cre.pdf
bdb02cre.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BDB02C/DOne Watt Amplifier TransistorsBDB02C,DPNP SiliconCOLLECTOR32BASE112EMITTER3MAXIMUM RATINGSRating Symbol BDB02C BDB02D UnitCASE 2905, STYLE 1TO92 (TO226AE)CollectorEmitter Voltage VCEO 80 100 VdcCollectorBase Voltage VCES 80 100 VdcEmitterBase Voltage VEBO
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050