Справочник транзисторов. BDB02B

 

Биполярный транзистор BDB02B Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BDB02B
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для BDB02B

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDB02B Datasheet (PDF)

 9.1. Size:137K  motorola
 bdb02cre.pdf pdf_icon

BDB02B

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BDB02C/DOne Watt Amplifier TransistorsBDB02C,DPNP SiliconCOLLECTOR32BASE112EMITTER3MAXIMUM RATINGSRating Symbol BDB02C BDB02D UnitCASE 2905, STYLE 1TO92 (TO226AE)CollectorEmitter Voltage VCEO 80 100 VdcCollectorBase Voltage VCES 80 100 VdcEmitterBase Voltage VEBO

Другие транзисторы... BDAP54A , BDAP54B , BDAP54C , BDAP55 , BDB01A , BDB01B , BDB01D , BDB02A , 2N3906 , BDB02C , BDB02D , BDB03 , BDB04 , BDB05 , BDB06 , BDBO1C , BDC01A .

History: KSH127 | 2SC773 | D41D7 | TN5128 | CL152-3A

 

 
Back to Top

 


 
.