BDC01C. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BDC01C
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для BDC01C
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BDC01C даташит
bdc01d-d.pdf
BDC01D One Watt Amplifier Transistor NPN Silicon http //onsemi.com Features Pb-Free Package is Available* COLLECTOR 2 MAXIMUM RATINGS 3 Rating Symbol Value Unit BASE Collector -Emitter Voltage VCEO 100 Vdc 1 Collector -Base Voltage VCBO 100 Vdc EMITTER Emitter -Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Collector Current - Continuous IC 0.5 Adc Total Device Dissipation @ TA = 25 C PD 1.0
Другие транзисторы: BDB02D, BDB03, BDB04, BDB05, BDB06, BDBO1C, BDC01A, BDC01B, 2N2222A, BDC01D, BDC02A, BDC02B, BDC02C, BDC02D, BDC03, BDC04, BDC05
History: 2SC6095 | BCZ12 | 2SA929 | BDP952
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
c5149 datasheet | m1830m mosfet | pkch2bb mosfet | 2024ont | 2n1306 transistor | 2sa750 datasheet | 2sa940 transistor datasheet | 2sb549


