BDC05. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BDC05
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для BDC05
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BDC05 даташит
bdc05rev.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BDC05/D One Watt High Voltage Transistor BDC05 NPN Silicon COLLECTOR 2 3 BASE 1 EMITTER MAXIMUM RATINGS 1 Rating Symbol Value Unit 2 3 Collector Emitter Voltage VCEO 300 Vdc CASE 29 05, STYLE 14 Collector Base Voltage VCBO 300 Vdc TO 92 (TO 226AE) Emitter Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Collector Current
Другие транзисторы: BDC01C, BDC01D, BDC02A, BDC02B, BDC02C, BDC02D, BDC03, BDC04, S8550, BDC06, BDC07, BDC08, BDCP20, BDCP25, BDP281, BDP283, BDP285
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
5n50 mosfet equivalent | a1016 transistor | a1693 transistor | a933 datasheet | c535 transistor | irf3205 reemplazo | mpsu06 | кт630

