Справочник транзисторов. BDS18SM

 

Биполярный транзистор BDS18SM - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: BDS18SM
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO252

 Аналоги (замена) для BDS18SM

 

 

BDS18SM Datasheet (PDF)

 0.1. Size:76K  semelab
bds18smd.pdf

BDS18SM
BDS18SM

BDS18 BDS18SMD BDS18SMD05BDS19 BDS19SMD BDS19SMD05SILICON PNPMECHANICAL DATA (Dimensions in mm)EPITAXIAL BASE INTO220 METAL AND4.610.60.8SMD CERAMIC SURFACE MOUNTPACKAGES3.6Dia.FEATURES HERMETIC METAL OR CERAMIC1 2 3PACKAGES HIGH RELIABILITY MILITARY AND SPACE OPTIONS1.0 SCREENING TO CECC LEVELS2.54 2.70 FULLY ISOLATED (METAL VERSION)

 0.2. Size:76K  semelab
bds18smd05.pdf

BDS18SM
BDS18SM

BDS18 BDS18SMD BDS18SMD05BDS19 BDS19SMD BDS19SMD05SILICON PNPMECHANICAL DATA (Dimensions in mm)EPITAXIAL BASE INTO220 METAL AND4.610.60.8SMD CERAMIC SURFACE MOUNTPACKAGES3.6Dia.FEATURES HERMETIC METAL OR CERAMIC1 2 3PACKAGES HIGH RELIABILITY MILITARY AND SPACE OPTIONS1.0 SCREENING TO CECC LEVELS2.54 2.70 FULLY ISOLATED (METAL VERSION)

 9.1. Size:211K  inchange semiconductor
bds18.pdf

BDS18SM
BDS18SM

isc Silicon PNP Power Transistor BDS18DESCRIPTIONLow Collector Saturation VoltageFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDeveloped for power liner and switching-Gener purpose power.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage -120 VCBOV Collect

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top