Биполярный транзистор BDS18SM - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BDS18SM
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO252
BDS18SM Datasheet (PDF)
bds18smd.pdf
BDS18 BDS18SMD BDS18SMD05BDS19 BDS19SMD BDS19SMD05SILICON PNPMECHANICAL DATA (Dimensions in mm)EPITAXIAL BASE INTO220 METAL AND4.610.60.8SMD CERAMIC SURFACE MOUNTPACKAGES3.6Dia.FEATURES HERMETIC METAL OR CERAMIC1 2 3PACKAGES HIGH RELIABILITY MILITARY AND SPACE OPTIONS1.0 SCREENING TO CECC LEVELS2.54 2.70 FULLY ISOLATED (METAL VERSION)
bds18smd05.pdf
BDS18 BDS18SMD BDS18SMD05BDS19 BDS19SMD BDS19SMD05SILICON PNPMECHANICAL DATA (Dimensions in mm)EPITAXIAL BASE INTO220 METAL AND4.610.60.8SMD CERAMIC SURFACE MOUNTPACKAGES3.6Dia.FEATURES HERMETIC METAL OR CERAMIC1 2 3PACKAGES HIGH RELIABILITY MILITARY AND SPACE OPTIONS1.0 SCREENING TO CECC LEVELS2.54 2.70 FULLY ISOLATED (METAL VERSION)
bds18.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor BDS18DESCRIPTIONLow Collector Saturation VoltageFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDeveloped for power liner and switching-Gener purpose power.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage -120 VCBOV Collect
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050