Биполярный транзистор 2N2914DCSM - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N2914DCSM
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
Корпус транзистора: LCC2
Аналоги (замена) для 2N2914DCSM
2N2914DCSM Datasheet (PDF)
2n2914 2n2916 2n2918.pdf
2N29142N2916SEME2N2918LABMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)8.51 (0.335)9.40 (0.370)DUAL NPN7.75 (0.305)8.51 (0.335)PLANAR TRANSISTORS IN TO77 PACKAGE1.02(0.040)Max.0.41 (0.016)0.53 (0.021)5.08(0.200)2.54(0.100)42.545(0.100)0.74 (0.029)3 61.14 (0.045)2145 0.71 (0.028)0.86 (0.034)TO77 PACKAGEPIN 1 Collector 1 PIN
2n2913 2n2915 2n2917.pdf
2N29132N29152N2917MECHANICAL DATADimensions in mm (inches)8.51 (0.335)9.40 (0.370)DUAL NPN7.75 (0.305)8.51 (0.335)PLANAR TRANSISTORS IN TO77 PACKAGE1.02(0.040)Max.0.41 (0.016)0.53 (0.021)5.08(0.200)2.54(0.100)42.545(0.100)0.74 (0.029)3 61.14 (0.045)2145 0.71 (0.028)0.86 (0.034)TO77 PACKAGEPIN 1 Collector 1 PIN 4 Emit
2n2919.pdf
2N2919SEMELABMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)8.51 (0.335)9.40 (0.370)DUAL NPN7.75 (0.305)8.51 (0.335)PLANAR TRANSISTORS IN TO77 PACKAGE1.02(0.040)Max.0.41 (0.016)0.53 (0.021)5.08(0.200)2.54(0.100)42.545(0.100)0.74 (0.029)3 61.14 (0.045)2145 0.71 (0.028)0.86 (0.034)TO77 PACKAGEPIN 1 Collector 1 PIN 4 Emitter 2
2n2919l.pdf
TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298 Website: http://www.microsemi.com NPN SILICON DUAL TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500 /355 DEVICES LEVELS 2N2919 2N2919L 2N2919U JAN
2n2919u.pdf
TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298 Website: http://www.microsemi.com NPN SILICON DUAL TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500 /355 DEVICES LEVELS 2N2919 2N2919L 2N2919U JAN
Другие транзисторы... 2N2909 , 2N291 , 2N2910 , 2N2911 , 2N2912 , 2N2913 , 2N2913DCSM , 2N2914 , TIP36C , 2N2915 , 2N2915A , 2N2915DCSM , 2N2916 , 2N2916A , 2N2916DCSM , 2N2917 , 2N2917DCSM .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050