Справочник транзисторов. BDT61AF

 

Биполярный транзистор BDT61AF Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BDT61AF
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 17 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
   Корпус транзистора: TO220F
 

 Аналог (замена) для BDT61AF

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDT61AF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:213K  inchange semiconductor
 bdt61af.pdf pdf_icon

BDT61AF

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDT61AFDESCRIPTIONHigh DC Current GainLow Saturation VoltageComplement to Type BDT60AFMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as complementary AF push-pull outputstage applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PAR

 8.1. Size:215K  inchange semiconductor
 bdt61 bdt61a bdt61b bdt61c.pdf pdf_icon

BDT61AF

isc Silicon NPN Darlington Power Transistors BDT61/A/B/CDESCRIPTIONDC Current Gain -h = 750(Min)@ I = 1.5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 60V(Min)- BDT61; 80V(Min)- BDT61A;CEO(SUS)100V(Min)- BDT61B; 120V(Min)- BDT61CComplement to Type BDT60/A/B/CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned

 9.1. Size:213K  inchange semiconductor
 bdt61cf.pdf pdf_icon

BDT61AF

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDT61CFDESCRIPTIONHigh DC Current GainLow Saturation VoltageComplement to Type BDT60CFMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as complementary AF push-pull outputstage applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PAR

 9.2. Size:213K  inchange semiconductor
 bdt61f.pdf pdf_icon

BDT61AF

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDT61FDESCRIPTIONHigh DC Current GainLow Saturation VoltageComplement to Type BDT60FMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as complementary AF push-pull outputstage applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAM

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , TIP42C , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

 

 
Back to Top

 


 
.