BDT62AF - описание и поиск аналогов

 

BDT62AF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BDT62AF

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 17 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 2000

Корпус транзистора: TO220F

 Аналоги (замена) для BDT62AF

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDT62AF даташит

 8.1. Size:216K  inchange semiconductor
bdt62 bdt62a bdt62b bdt62c.pdfpdf_icon

BDT62AF

isc Silicon PNP Darlington Power Transistors BDT62/A/B/C DESCRIPTION DC Current Gain -h = 1000(Min)@ I = -3A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -60V(Min)- BDT62; -80V(Min)- BDT62A; CEO(SUS) -100V(Min)- BDT62B; -120V(Min)- BDT62C Complement to Type BDT63/A/B/C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Desig

 9.1. Size:258K  no
bdt62.pdfpdf_icon

BDT62AF

 9.2. Size:306K  inchange semiconductor
bdt62 a b c.pdfpdf_icon

BDT62AF

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlington Power Transistors BDT62/A/B/C DESCRIPTION DC Current Gain -hFE = 1000(Min)@ IC= -3A Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS) = -60V(Min)- BDT62; -80V(Min)- BDT62A; -100V(Min)- BDT62B; -120V(Min)- BDT62C Complement to Type BDT63/A/B/C APPLICATIONS Designed for use in audio amplifier ou

 9.3. Size:218K  inchange semiconductor
bdt62f.pdfpdf_icon

BDT62AF

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Darlington Power Transistors BDT62F DESCRIPTION DC Current Gain -h = 1000(Min)@ I = -3A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -60V(Min) CEO(SUS) Complement to Type BDT63F Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in audio amplifier output stages , genera

Другие транзисторы: BDT61B, BDT61BF, BDT61C, BDT61CF, BDT61F, BDT61L, BDT62, BDT62A, 2SD669A, BDT62B, BDT62BF, BDT62C, BDT62CF, BDT62F, BDT63, BDT63A, BDT63AF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.