Биполярный транзистор BDT63F - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BDT63F
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 17 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000
Корпус транзистора: TO220F
BDT63F Datasheet (PDF)
bdt63f bdt63af bdt63bf bdt63cf.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specificationisc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDT63F/A/B/CDESCRIPTIONCollector Current -I = 10ACHigh DC Current Gain-h = 1000(Min)@ I = 10AFE CComplement to Type BDT62F/A/B/CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio output stages and general purpose
bdt63 a b c.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDT63/A/B/C DESCRIPTION Collector Current -IC= 10A High DC Current Gain-hFE= 1000(Min)@ IC= 3A Complement to Type BDT62/A/B/C APPLICATIONS Designed for audio output stages and general purpose amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNI
bdt63 bdt63a bdt63b bdt63c.pdf
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDT63/A/B/CDESCRIPTIONCollector Current -I = 10ACHigh DC Current Gain-h = 1000(Min)@ I = 3AFE CComplement to Type BDT62/A/B/CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio output stages and general purposeamplifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 13009 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
