BDT65F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BDT65F

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 22 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 2000

Корпус транзистора: TO220F

 Аналоги (замена) для BDT65F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDT65F даташит

 ..1. Size:109K  inchange semiconductor
bdt65f-af-bf-cf bdt65f af bf cf.pdfpdf_icon

BDT65F

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDT65F/AF/BF/CF DESCRIPTION Collector Current -IC= 12A High DC Current Gain-hFE= 1000(Min)@ IC= 5A Complement to Type BDT64F/AF/BF/CF APPLICATIONS Designed for audio output stages and general purpose amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER V

 ..2. Size:218K  inchange semiconductor
bdt65f bdt65af bdt65bf bdt65cf.pdfpdf_icon

BDT65F

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDT65F/AF/BF/CF DESCRIPTION Collector Current -I = 12A C High DC Current Gain-h = 1000(Min)@ I = 5A FE C Complement to Type BDT64F/AF/BF/CF Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio output stages and general purpose amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RA

 9.1. Size:183K  no
bdt65.pdfpdf_icon

BDT65F

 9.2. Size:168K  inchange semiconductor
bdt65 a b c.pdfpdf_icon

BDT65F

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDT65/A/B/C DESCRIPTION Collector Current -IC= 12A High DC Current Gain-hFE= 1000(Min)@ IC= 5A Complement to Type BDT64/A/B/C APPLICATIONS Designed for audio output stages and general purpose amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNI

Другие транзисторы: BDT64F, BDT65, BDT65A, BDT65AF, BDT65B, BDT65BF, BDT65C, BDT65CF, BD139, BDT81, BDT81F, BDT82, BDT82F, BDT83, BDT83F, BDT84, BDT84F