BDT94 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BDT94

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BDT94

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDT94 даташит

 ..1. Size:217K  inchange semiconductor
 bdt92 bdt94 bdt96.pdf pdf_icon

BDT94

isc Silicon PNP Power Transistor BDT92/94/96 DESCRIPTION DC Current Gain- h = 20 200@ I = -4A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -60V(Min)- BDT92; -80V(Min)- BDT94; CEO(SUS) -100V(Min)- BDT96 Complement to Type BDT91/93/95 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in audio output stages an

 0.1. Size:217K  inchange semiconductor
 bdt92f bdt94f bdt96f.pdf pdf_icon

BDT94

isc Silicon PNP Power Transistor BDT92F/94F/96F DESCRIPTION DC Current Gain- h = 20 200@ I = -4A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -60V(Min)- BDT92F; -80V(Min)- BDT94F; CEO(SUS) -100V(Min)- BDT96F Complement to Type BDT91F/93F/95F Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in audio output

Другие транзисторы: BDT88, BDT88F, BDT91, BDT91F, BDT92, BDT92F, BDT93, BDT93F, 2N3906, BDT94F, BDT95, BDT95F, BDT96, BDT96F, BDV10, BDV11, BDV12