BDV64 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: BDV64
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 400 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 2000
Корпус транзистора: TO218
Аналоги (замена) для BDV64
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BDV64 даташит
bdv64 a b c.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDV64/A/B/C DESCRIPTION Collector Current -IC= -12A Collector-Emitter Saturation Voltage- VCE(sat)= -2.0V(Max.)@ IC= -5A Complement to Type BDV65/A/B/C APPLICATIONS Designed for audio output stages and general amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
bdv64 bdv64a bdv64b bdv64c.pdf
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDV64/A/B/C DESCRIPTION Collector Current -I = -12A C Collector-Emitter Saturation Voltage- V = -2.0V(Max.)@ I = -5A CE(sat) C Complement to Type BDV65/A/B/C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio output stages and general amplifier and switching applic
bdv64 64a 64b 64c.pdf
Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors BDV64/64A/64B/64C DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type BDV65/65A/65B/65C DARLINGTON High DC current gain APPLICATIONS For use in general purpose amplifier applications. PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO
Другие транзисторы: BDV37, BDV38, BDV45, BDV46, BDV47, BDV48, BDV49, BDV50, 2SD2499, BDV64A, BDV64B, BDV64C, BDV65, BDV65A, BDV65B, BDV65C, BDV66
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfp260n datasheet | irfp250m | 2sk1058 | ss8550 | mje15033 | 2sc945 datasheet | a92 transistor | rfp50n06



