BDV66D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BDV66D

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 2000

Корпус транзистора: TOP3

 Аналоги (замена) для BDV66D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDV66D даташит

 9.1. Size:102K  mospec
 bdv66 bdv67.pdf pdf_icon

BDV66D

A A A

 9.2. Size:224K  inchange semiconductor
 bdv66 bdv66a bdv66b bdv66c.pdf pdf_icon

BDV66D

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDV66/A/B/C DESCRIPTION Collector Current -I = -16A C Collector-Emitter Saturation Voltage- V = -2.0V(Max.)@ I = -10A CE(sat) C Complement to Type BDV67/A/B/C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio output stages and general amplifier and switching appli

 9.3. Size:158K  inchange semiconductor
 bdv66 a b c.pdf pdf_icon

BDV66D

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDV66/A/B/C DESCRIPTION Collector Current -IC= -16A Collector-Emitter Saturation Voltage- VCE(sat)= -2.0V(Max.)@ IC= -10A Complement to Type BDV67/A/B/C APPLICATIONS Designed for audio output stages and general amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(

Другие транзисторы: BDV65, BDV65A, BDV65B, BDV65C, BDV66, BDV66A, BDV66B, BDV66C, D880, BDV67, BDV67A, BDV67B, BDV67C, BDV67D, BDV91, BDV92, BDV93