Справочник транзисторов. BDV66D

 

Биполярный транзистор BDV66D Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BDV66D
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000
   Корпус транзистора: TOP3
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BDV66D Datasheet (PDF)

 9.1. Size:102K  mospec
 bdv66 bdv67.pdf pdf_icon

BDV66D

AAA

 9.2. Size:224K  inchange semiconductor
 bdv66 bdv66a bdv66b bdv66c.pdf pdf_icon

BDV66D

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDV66/A/B/CDESCRIPTIONCollector Current -I = -16ACCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = -2.0V(Max.)@ I = -10ACE(sat) CComplement to Type BDV67/A/B/CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio output stages and general amplifierand switching appli

 9.3. Size:158K  inchange semiconductor
 bdv66 a b c.pdf pdf_icon

BDV66D

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDV66/A/B/C DESCRIPTION Collector Current -IC= -16A Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= -2.0V(Max.)@ IC= -10A Complement to Type BDV67/A/B/C APPLICATIONS Designed for audio output stages and general amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2SC2257A | BC337A-16 | TV37

 

 
Back to Top

 


 
.