BDV93 - описание и поиск аналогов

 

BDV93. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BDV93

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TOP3

 Аналоги (замена) для BDV93

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDV93 даташит

 ..1. Size:219K  inchange semiconductor
 bdv91 bdv93 bdv95.pdf pdf_icon

BDV93

isc Silicon NPN Power Transistor BDV91/93/95 DESCRIPTION Collector Current -I = 10A C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 45V(Min)- BDV91; 60V(Min)- BDV93 CEO(SUS) 80V(Min)- BDV95 Complement to Type BDV92/94/96 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in audio output stages and general amplifi

Другие транзисторы: BDV66D, BDV67, BDV67A, BDV67B, BDV67C, BDV67D, BDV91, BDV92, 2SD669A, BDV94, BDV95, BDV96, BDW10, BDW10A, BDW12, BDW12A, BDW14

 

 

 

 

↑ Back to Top
.