Справочник транзисторов. BDW10A

 

Биполярный транзистор BDW10A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: BDW10A
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 180 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BDW10A

 

 

BDW10A Datasheet (PDF)

 9.1. Size:204K  inchange semiconductor
bdw10.pdf

BDW10A
BDW10A

isc Silicon NPN Power Transistor BDW10DESCRIPTIONWith TO-3 PackageHigh Current CapabilityWide area of safe operation100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general-purpose power amplifier and switchingapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2N1726 | MT3S20P | 2SD1814 | MRF557

 

 
Back to Top