BDW10A - описание и поиск аналогов

 

BDW10A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BDW10A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 180 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BDW10A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDW10A даташит

 9.1. Size:204K  inchange semiconductor
 bdw10.pdf pdf_icon

BDW10A

isc Silicon NPN Power Transistor BDW10 DESCRIPTION With TO-3 Package High Current Capability Wide area of safe operation 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general-purpose power amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE

Другие транзисторы: BDV67D, BDV91, BDV92, BDV93, BDV94, BDV95, BDV96, BDW10, BC556, BDW12, BDW12A, BDW14, BDW14A, BDW16, BDW16A, BDW21, BDW21A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.