BDW22B - описание и поиск аналогов

 

BDW22B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BDW22B

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BDW22B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDW22B даташит

 9.1. Size:195K  inchange semiconductor
bdw22.pdfpdf_icon

BDW22B

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistors BDW22 DESCRIPTION With TO-3 Package High Current Capability Wide area of safe operation Complement to Type BDW21 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpose amplifier and switching applications. ABSOLUTE

Другие транзисторы: BDW16, BDW16A, BDW21, BDW21A, BDW21B, BDW21C, BDW22, BDW22A, D882P, BDW22C, BDW23, BDW23A, BDW23B, BDW23C, BDW24, BDW24A, BDW24C

 

 

 

 

↑ Back to Top
.