Справочник транзисторов. BDW23B

 

Биполярный транзистор BDW23B - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: BDW23B
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
   Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BDW23B

 

 

BDW23B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:214K  inchange semiconductor
bdw23 bdw23a bdw23b bdw23c.pdf

BDW23B
BDW23B

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDW23/A/B/CDESCRIPTIONCollector Current -I = 6ACHigh DC Current Gain-h = 750(Min)@ I = 2AFE CComplement to Type BDW24/A/B/CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for hammer drivers, audio amplifiers applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL P

 9.1. Size:38K  fairchild semi
bdw23a.pdf

BDW23B
BDW23B

BDW23/A/B/CHammer Drivers, Audio Amplifiers Applications Power Darlington TR Complement to BDW24, BDW24A, BDW24B and BDW24C respectivelyTO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage: BDW23 45 V: BDW23A 60 V: BDW23B 80 V: BDW23C

 9.2. Size:116K  inchange semiconductor
bdw23-a-b-c bdw23a-b-c.pdf

BDW23B
BDW23B

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDW23/A/B/C DESCRIPTION Collector Current -IC= 6A High DC Current Gain-hFE= 750(Min)@ IC= 2A Complement to Type BDW24/A/B/C APPLICATIONS Designed for hammer drivers, audio amplifiers applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITBDW23 45BDW23A 6

 9.3. Size:169K  inchange semiconductor
bdw23 a b c.pdf

BDW23B
BDW23B

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDW23/A/B/C DESCRIPTION Collector Current -IC= 6A High DC Current Gain-hFE= 750(Min)@ IC= 2A Complement to Type BDW24/A/B/C APPLICATIONS Designed for hammer drivers, audio amplifiers applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITBDW23 45BDW23A 6

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top