Справочник транзисторов. BDW24C

 

Биполярный транзистор BDW24C - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: BDW24C
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
   Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BDW24C

 

 

BDW24C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:38K  fairchild semi
bdw24c.pdf

BDW24C
BDW24C

BDW24/A/B/CHammer Drivers, Audio Amplifiers Applications Power Darlington TR Complement to BDW23, BDW23A, BDW23B and BDW23C respectivelyTO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage: BDW24 - 45 V: BDW24A - 60 V: BDW24B - 80 V:

 ..2. Size:215K  inchange semiconductor
bdw24 bdw24a bdw24b bdw24c.pdf

BDW24C
BDW24C

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDW24/A/B/CDESCRIPTIONCollector Current -I = -6ACHigh DC Current Gain-h = 750(Min)@ I = -2AFE CComplement to Type BDW23/A/B/CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for hammer drivers, audio amplifiers applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL

 9.1. Size:93K  bourns
bdw24b.pdf

BDW24C
BDW24C

BDW24, BDW24A, BDW24B, BDW24CPNP SILICON POWER DARLINGTONS Designed for Complementary Use with BDW23, BDW23A, BDW23B and BDW23CTO-220 PACKAGE(TOP VIEW) 50 W at 25C Case Temperature 6 A Continuous Collector CurrentB 1 Minimum hFE of 750 at 2 A, 3 VC 2E 3Pin 2 is in electrical contact with the mounting base.MDTRACAabsolute maximum ratings at 25C case te

 9.2. Size:116K  inchange semiconductor
bdw24a-b-c bdw24 a b c.pdf

BDW24C
BDW24C

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDW24/A/B/C DESCRIPTION Collector Current -IC= -6A High DC Current Gain-hFE= 750(Min)@ IC= -2A Complement to Type BDW23/A/B/C APPLICATIONS Designed for hammer drivers, audio amplifiers applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITBDW24 -45BDW24

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , BC557 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

 

 
Back to Top