Справочник транзисторов. BDW34

 

Биполярный транзистор BDW34 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BDW34
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BDW34 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:35K  st
 bdx33 bdw34.pdf pdf_icon

BDW34

BDX33B BDX33CBDX34B BDX34C COMPLEMENTARY SILICON POWERDARLINGTON TRANSISTORS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPESDESCRIPTIONThe BDX33B and BDX33C are siliconepitaxial-base NPN power transistors inmonolithic Darlington configuration and aremounted in Jedec TO-220 plastic package. Theyare intented for use in power linear and switchingapplications.32The complementary P

 ..2. Size:180K  inchange semiconductor
 bdw34.pdf pdf_icon

BDW34

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor BDW34DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = 0.6V(Max.) @I = 10ACE(sat) CHigh Switching SpeedHigh DC Current Gain-: h = 20(Min.) @I = 25AFE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high current, high speed, high powerapplication

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2N965 | TFN3906 | 2SC2692 | D33J24 | AF101W | FCS9018H | KT8121A-2

 

 
Back to Top

 


 
.