BDW41 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BDW41

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 2000

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BDW41

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDW41 даташит

 ..1. Size:215K  inchange semiconductor
 bdw41.pdf pdf_icon

BDW41

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDW41 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 80V(Min) CEO(SUS) High DC Current Gain h = 1000(Min) @I = 5A FE C Low Collector Saturation Voltage V = 2.0V(Max.)@ I = 5.0A CE(sat) C = 3.0V(Max.)@ I = 10A C Complement to Type BDW46 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operat

Другие транзисторы: BDW25-4, BDW25-6, BDW30, BDW32, BDW34, BDW36, BDW39, BDW40, 2N3055, BDW42, BDW43, BDW44, BDW45, BDW46, BDW48, BDW51, BDW51A