Справочник транзисторов. BDW53C

 

Биполярный транзистор BDW53C Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BDW53C
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для BDW53C

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDW53C Datasheet (PDF)

 9.1. Size:202K  inchange semiconductor
 bdw53.pdf pdf_icon

BDW53C

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDW53DESCRIPTIONHigh DC Current Gain: h = 750(Min.)@ I = 1.5A, V = 3VFE C CEHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 45V(Min)(BR)CEOLow Collector Saturation VoltageComplement to Type BDW54Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesi

Другие транзисторы... BDW51B , BDW51C , BDW52 , BDW52A , BDW52C , BDW53 , BDW53A , BDW53B , BC557 , BDW53D , BDW54 , BDW54A , BDW54B , BDW54C , BDW55 , BDW56 , BDW57 .

History: A157A | 2SC1906 | CHT4403TGP

 

 
Back to Top

 


 
.