BDW54C datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: BDW54C
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750
Корпус транзистора: TO220
Аналоги (замена) для BDW54C
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BDW54C даташит
bdx53 bdw54.pdf
BDX53A/53B/53C BDX54B/54C COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS BDX53B, BDX53C, BDX54B AND BDX54C ARE SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES APPLICATIONS AUDIO AMPLIFIERS LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL 3 2 EQUIPMENT 1 TO-220 DESCRIPTION The BDX53A, BDX53B and BDX53C are silicon epitaxial-base NPN power transistors in monolithic Darlington configuration and are moun
bdx53d bdw54.pdf
BDX53BFI BDX54BFI COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES APPLICATIONS GENERAL PURPOSE SWITCHING AND AMPLIFIER LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL EQUIPMENT DESCRIPTION 3 The BDX53BFI is silicon epitaxial-base NPN 2 1 power transistor in monolithic Darlington configuration and are mounted in ISOWATT220 ISOWATT220 plastic package. It is
bdw54.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDW54 DESCRIPTION High DC Current Gain h = 750(Min.)@ I = -1.5A, V = -3V FE C CE High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -45V(Min) (BR)CEO Low Collector Saturation Voltage Complement to Type BDW53 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS D
Другие транзисторы: BDW53, BDW53A, BDW53B, BDW53C, BDW53D, BDW54, BDW54A, BDW54B, 2SD1047, BDW55, BDW56, BDW57, BDW58, BDW59, BDW60, BDW63, BDW63A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sd718 | 2n3053 transistor | 2sc458 replacement | bc557 transistor | 2n3638 | tip127 datasheet | irlz24n | irf620


