BDW63 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BDW63

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BDW63

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BDW63 даташит

 ..1. Size:218K  inchange semiconductor
 bdw63 bdw63a bdw63b bdw63c bdw63d.pdf pdf_icon

BDW63

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDW63/A/B/C/D DESCRIPTION Collector Current -I = 6A C High DC Current Gain-h = 750(Min.)@ I = 2A FE C Complement to Type BDW64/A/B/C/D Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio output stages and general amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM R

 ..2. Size:253K  inchange semiconductor
 bdw63 a b c d.pdf pdf_icon

BDW63

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BDW63/A/B/C/D DESCRIPTION Collector Current -IC= 6A High DC Current Gain-hFE= 750(Min.)@ IC= 2A Complement to Type BDW64/A/B/C/D APPLICATIONS Designed for audio output stages and general amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER

Другие транзисторы: BDW54B, BDW54C, BDW55, BDW56, BDW57, BDW58, BDW59, BDW60, MJE340, BDW63A, BDW63B, BDW63C, BDW63D, BDW64, BDW64A, BDW64B, BDW64C