Справочник транзисторов. BDW64C

 

Биполярный транзистор BDW64C Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BDW64C
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
   Корпус транзистора: TO220
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BDW64C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:219K  inchange semiconductor
 bdw64 bdw64a bdw64b bdw64c bdw64d.pdf pdf_icon

BDW64C

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDW64/A/B/C/DDESCRIPTIONCollector Current -I = -6ACHigh DC Current Gain-h = 750(Min.)@ I = -2AFE CComplement to Type BDW63/A/B/C/DMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio output stages and general amplifierand switching applicationsABSOLUTE MAXIMUM

 9.1. Size:251K  inchange semiconductor
 bdw64 a b c d.pdf pdf_icon

BDW64C

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BDW64/A/B/C/D DESCRIPTION Collector Current -IC= -6A High DC Current Gain-hFE= 750(Min.)@ IC= -2A Complement to Type BDW63/A/B/C/D APPLICATIONS Designed for audio output stages and general amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMET

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: BU113S | 2SB443A | NKT108 | KRC663U | 2SC765 | DTC123JEB | STC403Q

 

 
Back to Top

 


 
.